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AQW654

商品名 PhotoMOSリレー HE 1a1b
型番 AQW654
商品特長

低オン抵抗と経済性を両立させた1a1bタイプ

こちらの商品はネット販売限定特価となっております。店頭売価とは異なる場合がございます。
仕様

スペック詳細

項目 内容
品番 AQW654
型番 AQW654
商品名 HE 1a1b
タイプ HE
パッケージ DIP8
電圧タイプ AC/DC
LED電流 [ IF ] 50mA
LED逆電圧 [ VR ] 5V
せん頭順電流 [ IFP ] 1A
許容損失 [ Pin ] 75mW
負荷電圧 [ VL ] 400V
負荷電流 120mA
連続負荷電流 [ IL ] 0.12A
ピーク負荷電流 [ Ipeak ] 0.36A
出力損失 [ Pout ] 800mW
全許容損失 [ Pt ] 850mW
耐電圧 [ Viso ] 1,500Vrms
使用周囲温度:動作温度 [ Topr ] -40〜+85°C
使用周囲温度:保存温度 [ Tstg ] -40〜+100°C
動作LED電流(平均) 0.9mA
動作LED電流(最大) 3mA
復帰LED電流(最小) 0.4mA
復帰LED電流(平均) 0.8mA
LED電圧降下(平均) [ VF ] 1.25V
LED電圧降下(最大) [ VF ] 1.5V
オン抵抗(平均) [ Ron ] 11 ohm
オン抵抗(最大) [ Ron ] 16 ohm
開路時漏れ電流(最大) [ ILeak ] 1μA
過電流保護機能 機能なし
動作時間(平均) 0.8ms (N.O.), 1.2ms (N.C.)
動作時間(最大) 2ms
復帰時間(平均) 0.04ms (N.O.), 0.36ms (N.C.)
復帰時間(最大) 1ms
入出力端子間容量(平均) [ Ciso ] 0.8pF
入出力端子間容量(最大) [ Ciso ] 1.5pF
入出力間絶縁抵抗(最小) [ Riso ] 1,000 M ohm
[推奨動作条件] LED電流 [ IF ] 最小:5mA 最大:30mA
[推奨動作条件] 負荷電圧 [ VL ] 最大:320V
[推奨動作条件] 連続負荷電流 [ IL ] 最大:0.16A (1ch), 0.12A (2ch)
端子形状 標準P/C板端子
出力構成 1a1b
包装形態 スティック包装
外形寸法図

備考 画像は同品種の代表画像です。
仕様・外観は予告なしに変更することがあります。
※実際の商品と画像が異なる場合がございます。ご購入の際は仕様をご確認ください。
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